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我國科學家開創第三類存儲技術

4月11日,復旦大學微電子學院教授張衛、周鵬團隊在實驗室內合影。近日,復旦大學微電子學院教授張衛、周鵬團隊實現了具有顛覆性的二維半導體準非易失存儲原型器件,開創了第三類存儲技術,寫入速度比目前U盤快一萬倍,數據存儲時間也可自行決定。這解決了國際半導體電荷存儲技術中“寫入速度”與“非易失性”難以兼得的難題。北京時間4月10日,相關成果在線發表于《自然·納米技術》雜志。 新華社記者 丁汀攝

4月11日,復旦大學微電子學院教授張衛、周鵬團隊成員劉春森在實驗室內對硅片進行“電子束光刻”以及“定義圖形”。近日,復旦大學微電子學院教授張衛、周鵬團隊實現了具有顛覆性的二維半導體準非易失存儲原型器件,開創了第三類存儲技術,寫入速度比目前U盤快一萬倍,數據存儲時間也可自行決定。這解決了國際半導體電荷存儲技術中“寫入速度”與“非易失性”難以兼得的難題。北京時間4月10日,相關成果在線發表于《自然·納米技術》雜志。 新華社記者 丁汀攝

4月11日,復旦大學微電子學院教授張衛、周鵬團隊成員劉春森在實驗室內將硅片放入儀器。近日,復旦大學微電子學院教授張衛、周鵬團隊實現了具有顛覆性的二維半導體準非易失存儲原型器件,開創了第三類存儲技術,寫入速度比目前U盤快一萬倍,數據存儲時間也可自行決定。這解決了國際半導體電荷存儲技術中“寫入速度”與“非易失性”難以兼得的難題。北京時間4月10日,相關成果在線發表于《自然·納米技術》雜志。 新華社記者 丁汀攝

4月11日,復旦大學微電子學院教授張衛、周鵬團隊成員劉春森在實驗室內將清洗好的硅片放入容器內。近日,復旦大學微電子學院教授張衛、周鵬團隊實現了具有顛覆性的二維半導體準非易失存儲原型器件,開創了第三類存儲技術,寫入速度比目前U盤快一萬倍,數據存儲時間也可自行決定。這解決了國際半導體電荷存儲技術中“寫入速度”與“非易失性”難以兼得的難題。北京時間4月10日,相關成果在線發表于《自然·納米技術》雜志。 新華社記者 丁汀攝

4月11日,復旦大學微電子學院教授周鵬教授在硅片上生長金屬電極。近日,復旦大學微電子學院教授張衛、周鵬團隊實現了具有顛覆性的二維半導體準非易失存儲原型器件,開創了第三類存儲技術,寫入速度比目前U盤快一萬倍,數據存儲時間也可自行決定。這解決了國際半導體電荷存儲技術中“寫入速度”與“非易失性”難以兼得的難題。北京時間4月10日,相關成果在線發表于《自然·納米技術》雜志。 新華社記者 丁汀攝

4月11日,復旦大學微電子學院教授張衛、周鵬團隊成員劉春森在實驗室內對硅片進行切割。近日,復旦大學微電子學院教授張衛、周鵬團隊實現了具有顛覆性的二維半導體準非易失存儲原型器件,開創了第三類存儲技術,寫入速度比目前U盤快一萬倍,數據存儲時間也可自行決定。這解決了國際半導體電荷存儲技術中“寫入速度”與“非易失性”難以兼得的難題。北京時間4月10日,相關成果在線發表于《自然·納米技術》雜志。 新華社記者 丁汀攝

4月11日,復旦大學微電子學院教授張衛、周鵬團隊成員劉春森在實驗室內對硅片進行“電子束光刻”以及“定義圖形”。近日,復旦大學微電子學院教授張衛、周鵬團隊實現了具有顛覆性的二維半導體準非易失存儲原型器件,開創了第三類存儲技術,寫入速度比目前U盤快一萬倍,數據存儲時間也可自行決定。這解決了國際半導體電荷存儲技術中“寫入速度”與“非易失性”難以兼得的難題。北京時間4月10日,相關成果在線發表于《自然·納米技術》雜志。 新華社記者 丁汀攝

4月11日,復旦大學微電子學院教授張衛、周鵬團隊成員劉春森在實驗室內清洗硅片(拼版照片)。近日,復旦大學微電子學院教授張衛、周鵬團隊實現了具有顛覆性的二維半導體準非易失存儲原型器件,開創了第三類存儲技術,寫入速度比目前U盤快一萬倍,數據存儲時間也可自行決定。這解決了國際半導體電荷存儲技術中“寫入速度”與“非易失性”難以兼得的難題。北京時間4月10日,相關成果在線發表于《自然·納米技術》雜志。 新華社記者 丁汀攝

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責任編輯: 范琪

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